二維材料，有時(shí)也稱(chēng)為單層材料，是由單層原子組成的晶體材料。這些材料已用于光伏、半導(dǎo)體、電極和水凈化等應(yīng)用。

二維材料通?？梢詺w類(lèi)為各種元素或化合物的二維同素異形體（由兩個(gè)或多個(gè)共價(jià)鍵元素組成）。元素 2D 材料的名稱(chēng)通常帶有 -ene 后綴，而化合物帶有 -ane 或 -ide 后綴。不同二維材料的分層組合通常稱(chēng)為范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2D 功能層與 3D (3D) 系統(tǒng)的有效集成仍然是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，限制了設(shè)備性能和電路設(shè)計(jì)。

據(jù)預(yù)測(cè)，大約有 700 種二維材料是穩(wěn)定的，但仍有許多有待合成。到 2025 年，全球二維材料市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到 3.9 億美元，主要用于半導(dǎo)體、電子、電池能源和復(fù)合材料市場(chǎng)中的石墨烯。

smart-elements 04951-4-1說(shuō)明書(shū)

o-SiP 正交磷化硅晶體 80mg

€  124,17

描述

o-SiP 正交磷化硅

特性： 銅光澤，紅色半透明晶體片?？諝夥€(wěn)定，濃度穩(wěn)定。非氧化性酸。熔點(diǎn) ~ 1110–1130 °C 

正交 SiP (o-SiP) 是一種二維層狀晶體，可能對(duì)光電技術(shù)產(chǎn)生重大影響。

差示掃描量熱法 (DSC) 和熱重
分析 (TGA) 曲線表明，即使
在 1045 °C 的溫度下，o-SiP 也是熱穩(wěn)定的。這對(duì)于器件
制造和實(shí)際應(yīng)用非常重要。與石墨烯不同，o-SiP
具有適當(dāng)?shù)膸叮_定為 1.7 eV。
體 o-SiP 是一種 p 型半導(dǎo)體，其載流子遷移
率為 2.034 × 103 cm2 V-1 s-1，是 MoS2 的十倍。
o-SiP的光響應(yīng)特性通過(guò)
使用 671 nm 激光的激發(fā)研究，分別具有 20、40、60、80、100
和 120 mW 的不同功率。合適的帶隙
和足夠高的載流子遷移率，以及清晰的光開(kāi)關(guān)
行為和相對(duì)較快的響應(yīng)，使
o-SiP成為二維電子和光電
材料成為可能。